FD-SOI工艺是全耗尽型绝缘层上硅技术的缩写，它也是FinFET工艺发明者胡正明教授的发明的工艺技术，优势是可以实现极低的功耗，近年来，随着物联网的全面爆发，低功耗技术需求增大 ，很多需要低功耗的器件转向这个工艺，造成FD-SOI制造产能严重不足，虽然格芯已经扩大了在德累斯顿的产能但还是不能满足客户需求。

今天，意法半导体和格芯宣布，双方将在意法半导体现有的法国Crolles 12英寸晶圆厂附近建立一个新的12英寸晶圆联营厂，该工厂将在 2026 年提高到[敏感词]产能，建成后，[敏感词]年产能将达每年62万片12英寸晶圆 (意法半导体约占 42%，格芯约占58%)。

据悉，该新工厂将支持多种制造技术，特别是基于 FD-SOI 的工艺技术，并将涵盖其衍生技术，其中包括格芯市场前沿的 FDX 技术，以及意法半导体节点最小至18纳米 的全面技术——预计未来几十年，汽车、物联网和移动应用对这些技术的需求仍将保持高位。

意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery 表示这个新的制造工厂将支持ST实现 200 亿美元+营收目标，并加强FD-SOI在欧洲的生态系统。 

格芯首席执行官 Thomas Caulfield 博士表示格芯已经出货超过10亿颗FD-SOI工艺芯片此次合作将扩大格芯在欧洲技术生态系统中的影响力。

近日，欧洲半导体共计加强在芯片制造领域的投入，汽车半导体巨头博世就表示到2026年前，博世将在半导体业务上要投资30亿欧元。

今年2月8日，欧盟委员会公布了《芯片法案》，计划大幅提升欧盟在全球的芯片生产份额。根据该法案，欧盟将投入超过430亿欧元公共和私有资金，用于支持芯片生产、试点项目和初创企业。其中，110亿欧元将用于加强现有的研究、开发和创新，以确保部署先进的半导体工具以及用于原型设计、测试的试验生产线等。到2030年，欧盟计划将在全球芯片生产的份额从目前的10%增加到20%。

看来这个法案已经有力推动了欧洲半导体制造业的发展。

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