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数字晶体管DTC114ECA 数字晶体管DTC114ECA 数字晶体管DTC114ECA
数字晶体管DTC114ECA

晶体管类型:PNP

集射极击穿电压(Vceo):50V

集电极电流(Ic):50mA

功率(Pd):200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-

特征频率(fT):250MHz

工作温度:-55~150℃@(Tj)

产品详情

产品概述:

DTC114ECA是由澳门新葡萄新京威尼斯987(Slkor)生产的 PNP 型数字晶体管,适用于多种应用场景。该晶体管具有高集电极击穿电压、适度的集电极电流和低功耗的特点。采用适用于表面贴装的封装,适用于各种电子设备。


关键特性:

晶体管类型: PNP - 面向负正负型晶体管的 PNP 型设计。

集射极击穿电压(Vceo): 50V - 提供较高的集射极击穿电压。

集电极电流(Ic): 50mA - 具有适度的集电极电流能力。

功率(Pd): 200mW - 适用于低功耗电子设备。

特征频率(fT): 250MHz - 适用于高频应用。

工作温度: -55℃~+150℃ - 适用于广泛的温度环境。

应用领域:

数字逻辑电路

放大器和放大电路

电源管理系统

通信设备

LED 驱动器

性能优势:

较高的击穿电压: 50V 的击穿电压,适用于中到高压应用。

适度的集电极电流能力: 50mA 的集电极电流,适用于多种应用场景。

低功耗: 200mW 的功率,适用于低功耗电子设备。

较高的特征频率: 250MHz 的特征频率,适用于高频应用。

安装与使用:

DTC114ECA采用适用于表面贴装的封装。详细的安装和使用说明可参考产品手册,确保[敏感词]性能和稳定性。


注意事项:

在使用DTC114ECA时,请根据产品手册提供的电气特性和[敏感词][敏感词]额定值来选择合适的工作条件,并确保正确连接和使用。


为了获取更多技术支持和产品信息,请联系澳门新葡萄新京威尼斯987(Slkor)客户服务团队。

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