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低压MOS管FDN337N 低压MOS管FDN337N 低压MOS管FDN337N
低压MOS管FDN337N

类型:N沟道

漏源电压(Vdss):30V

连续漏极电流(Id):2.2A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@4.5V,2.2A

阈值电压(Vgs(th)@Id):0.9V@250μA


产品详情

产品介绍:FDN337N 低压N沟道MOS管


一、产品概述

澳门新葡萄新京威尼斯987slkor低压MOS管FDN337N是一款专为低压、低功耗应用设计的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET以其紧凑的封装、低阈值电压和超低导通电阻,在需要精细电流控制和高效率转换的电子设备中展现出卓越的性能。FDN337N适用于各种低压电路,为系统设计者提供了灵活且可靠的解决方案。


二、产品特性

低压操作:漏源电压(Vdss)为30V,适合在低压环境下稳定工作,保护电路免受高压损害。

超低静态电流:连续漏极电流(Id)低至1μA,在待机或低功耗模式下能显著减少能耗,延长电池寿命。

低导通电阻:在4.5V的栅极电压(Vgs)和2.2A的漏极电流(Id)条件下,导通电阻(RDS(on))仅为40mΩ,有效降低了导通时的能量损耗,提高了系统效率。

低阈值电压:阈值电压(Vgs(th)@Id)为0.9V@250μA,使得FDN337N在较低的栅极电压下即可开启,适用于低功耗和快速响应的应用场景。


三、产品优势

高效节能:超低导通电阻和静态电流使得FDN337N在工作时能耗极低,有助于节能减排。

快速响应:低阈值电压保证了MOSFET的快速开启和关闭,提高了系统的动态响应速度。

高可靠性:经过严格的质量控制和测试,FDN337N展现出卓越的稳定性和可靠性,确保在各种工作环境下都能稳定工作。

灵活设计:紧凑的封装设计使得FDN337N易于集成到各种电子设备中,节省了PCB空间,简化了电路设计。


四、应用领域

FDN337N广泛应用于以下领域:

便携式设备:如智能手机、平板电脑、智能手表等,用于电源管理、信号切换等低功耗场景。

物联网设备:在物联网传感器、智能家居系统等应用中,提供稳定的低压电力控制和信号传输。

汽车电子:在汽车电子控制系统中,如车窗升降器、座椅调节器等,实现低功耗、高可靠性的电力控制。

工业控制:在需要精细电流控制和高效率转换的工业自动化控制系统中,如精密机械控制、电机驱动等。


五、注意事项

电压限制:请确保在实际应用中不超过器件的额定电压(Vdss),以防止击穿损坏。

电流控制:虽然连续漏极电流较小,但在设计电路时仍需注意电流分配,避免过载。

散热设计:虽然功耗较低,但在高密度集成或长时间工作的应用中,仍需关注散热问题,确保器件温度在正常范围内。

静电防护:在安装和使用过程中,应采取静电防护措施,避免静电放电对器件造成损害。

存储与运输:请按照产品手册中的建议进行存储和运输,避免暴露在[敏感词]温度、湿度或腐蚀性环境中。





FDN337N SOT-23_00.png


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