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低压MOS管FDN302P 低压MOS管FDN302P 低压MOS管FDN302P
低压MOS管FDN302P

类型:P沟道

漏源电压(Vdss):-20V

连续漏极电流(Id):-2.4A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):44mΩ@-4.5V,-2.4A

阈值电压(Vgs(th)@Id):-1V@-250μA


产品详情

产品介绍:FDN302P 低压N沟道MOS管


一、产品概述

澳门新葡萄新京威尼斯987slkor低压MOS管FDN302P是一款独特的低压P沟道MOSFET,专为需要在负电压环境下工作的电路而设计。其独特的电气特性,包括负值的漏源电压和连续漏极电流,使其在众多需要反向电压控制的电子设备中脱颖而出。FDN302P以其高效能、稳定性和可靠性,为系统设计者提供了前所未有的灵活性和创新性解决方案。


二、产品特性

负电压操作:漏源电压(Vdss)为-20V,表明该MOSFET能在负电压环境下正常工作,适用于需要反向电压控制的特殊应用。

高反向电流能力:连续漏极电流(Id)达到-2.4A,表明FDN302P能够处理较大的反向电流,满足高要求的应用场景。

低导通电阻:在-4.5V的栅极电压(Vgs)和-2.4A的漏极电流(Id)条件下,导通电阻(RDS(on))仅为44mΩ,有效降低了导通时的能量损耗,提高了系统效率。

低阈值电压:阈值电压(Vgs(th)@Id)为-1V@-250μA,意味着在较低的负栅极电压下即可开启MOSFET,适用于低功耗和快速响应的应用场景。


三、产品优势

创新设计:作为少数能够在负电压下稳定工作的N沟道MOSFET之一,FDN302P为特殊应用提供了独特的解决方案。

高效能:低导通电阻减少了能量损失,提高了系统能效。

快速响应:低阈值电压确保了MOSFET的快速开启和关闭,提高了系统的动态性能。

高可靠性:经过严格的质量控制和测试,FDN302P展现出卓越的稳定性和耐久性。


四、应用领域

FDN302P广泛应用于以下领域:

特殊电源管理:在需要负电压输出的电源管理系统中,如某些类型的逆变器、负电压供电的电路等。

反向电流控制:在需要精确控制反向电流的电路中,如特定类型的电机驱动、反向电流保护电路等。

科研与实验:在电子学、材料科学等领域的科研实验中,用于模拟或测试负电压环境下的电路行为。

特殊工业控制:在需要反向电压控制的工业自动化系统中,如特定类型的传感器、执行器等。


五、注意事项

电压极性:请确保在使用时遵循正确的电压极性,避免将正电压误接到负电压端。

电流限制:根据连续漏极电流(Id)的限制,合理设计电路,避免过载运行。

散热设计:在高反向电流或长时间工作的应用中,需关注散热问题,确保器件温度在正常范围内。

静电防护:在安装和使用过程中,应采取静电防护措施,避免静电放电对器件造成损害。

存储与运输:请按照产品手册中的建议进行存储和运输,避免暴露在[敏感词]温度、湿度或腐蚀性环境中。



FDN302P SOT-23_00.png


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