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三极管MMDT2907A 三极管MMDT2907A 三极管MMDT2907A
三极管MMDT2907A

晶体管类型:PNP

集射极击穿电压(Vceo):60V

集电极电流(Ic):600mA

功率(PC):200mW

集电极截止电流(Icbo):100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):0.4V@150mA,15mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce):75@0.1mA,10V

特征频率(fT):200MHz

工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
Package:SOT-363


产品详情

产品概述:

MMDT2907A是由澳门新葡萄新京威尼斯987(Slkor)生产的PNP型三极管,是一款常用的通用型半导体器件,适用于各种低功率放大和开关应用。


主要技术规格:

晶体管类型: PNP

集射极击穿电压(Vceo): 60V

集电极电流(Ic): 600mA

功率(PC): 200mW

集电极截止电流(Icbo): 100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.4V @ 150mA, 15mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 75 @ 0.1mA, 10V

特征频率(fT): 200MHz

工作温度: -55℃ 到 +150℃ (Tj)

封装信息:SOT-363


主要特性和优势:

适中集射极击穿电压(Vceo): 60V的集射极击穿电压,适用于一般低压电路设计。

适中集电极电流(Ic): 600mA的集电极电流,适用于低功率应用场景。

适中功率(PC): 200mW的功率,提供适度的功率处理能力。

低集电极截止电流(Icbo): 100nA的截止电流,有助于降低功耗。

低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 0.4V @ 150mA, 15mA,具有低压降,提高效率。

较高直流电流增益(hFE): 75 @ 0.1mA, 10V,提供增益的精确控制。

适中特征频率(fT): 200MHz的特征频率,适用于一些中频应用。

应用领域:

MMDT2907A三极管广泛应用于低功率放大器、开关电源、数字逻辑、射频放大器等电子设备和电路。


注意事项:

在使用MMDT2907A三极管时,请仔细阅读生产商提供的规格书和建议,以确保[敏感词]性能和可靠性。


以上信息可能会因制造商更新而有所改变,建议在购买前查阅[敏感词]的规格书。


MMDT2907A SOT-363_00.jpg

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