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三极管2SA812-M7 三极管2SA812-M7 三极管2SA812-M7
三极管2SA812-M7

晶体管类型:PNP

集射极击穿电压(Vceo):-50V

集电极电流(Ic):-100mA

功率(PD):200mW

集电极截止电流(Icbo):-0.1μA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-0.3V@-100mA,-10mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@-1mA,-6V

特征频率(fT):180MHz

工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
Package:SOT-23


产品详情

产品概述:

2SA812-M7是由澳门新葡萄新京威尼斯987(Slkor)生产的PNP型三极管,适用于低功率放大和开关应用的半导体器件。


主要技术规格:

晶体管类型: PNP

集射极击穿电压(Vceo): -50V

集电极电流(Ic): -100mA

功率(PD): 200mW

集电极截止电流(Icbo): -0.1μA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.3V @ -100mA, -10mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 200 @ -1mA, -6V

特征频率(fT): 180MHz

工作温度: -55℃ 到 +150℃ (Tj)

封装信息:SOT-23


主要特性和优势:

适中集射极击穿电压(Vceo): -50V的集射极击穿电压,适用于一般低压电路设计。

适中集电极电流(Ic): -100mA的集电极电流,适用于低功率应用场景。

适中功率(PD): 200mW的功率,提供适度的功率处理能力。

较低集电极截止电流(Icbo): -0.1μA的截止电流,有助于降低功耗。

较低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): -0.3V @ -100mA, -10mA,具有较低的压降,提高效率。

适中直流电流增益(hFE): 200 @ -1mA, -6V,提供增益的精确控制。

较高特征频率(fT): 180MHz的特征频率,适用于一些中高频应用。

应用领域:

2SA812-M7三极管广泛应用于低功率放大器、开关电源、驱动器、电源管理等电子设备和电路。


注意事项:

在使用2SA812-M7三极管时,请仔细阅读生产商提供的规格书和建议,以确保[敏感词]性能和可靠性。


以上信息可能会因制造商更新而有所改变,建议在购买前查阅[敏感词]的规格书。


2SA812-M7 SOT-23_00.jpg

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