为什么 MOS管容易发热？

  在设计电源或驱动电路时，不可避免地要用到FET，也就是俗称的MOS晶体管。 MOS管的种类很多，功能也很多。使用电源或驱动，当然是利用它的开关功能。接下来我们来了解一下MOS管加热的五大关键技术。
  1.芯片加热

  本内容主要针对内置功率调制器的高压驱动芯片。如果芯片消耗的电流为2mA，施加300V的电压，芯片的功耗为0.6W，肯定会导致芯片发热。驱动芯片的[敏感词]电流来源于驱动功率MOS晶体管的消耗，简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中C为功率MOS晶体管的cgs电容，V为功率晶体管导通时的栅极电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低C、V、f，如果C， v和F不能改变，请想办法把芯片的功耗分给芯片外的设备。 简单来说，考虑散热更好。

  2.功率管加热

  功率管的功耗分为开关损耗和导通损耗两部分。需要注意的是，在大多数场合，尤其是LED商用电源驱动应用中，开关损伤远大于传导损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs、芯片的驱动能力和工作频率有关。因此，要解决功率管的发热问题，可以从以下几个方面解决：A、不能根据导通电阻单方面选择MOS功率管，因为内阻越小，cgs和cgd电容越大。比如1N60的cgs约为250pF，2N60的cgs约为350pF，5N60的cgs约为1200pF。差别太大了。选择功率管时，就足够了。b、剩下的就是频率和芯片驱动能力，这里我们只讲频率的影响。也与频率传导损耗成正比，所以功率管发热时，首先要考虑选频是否有点高。尽量降低频率！但是需要注意的是，当频率降低时，为了获得相同的负载容量，峰值电流必然会增加或者电感也会增加，这可能会导致电感进入饱和区。如果电感饱和电流足够大，可以考虑将CCM(连续电流模式)改为DCM(不连续电流模式)，这需要增加一个负载电容。

  3.工作频率降低。

  这也是用户在调试时常见的现象，降频主要是两个方面造成的。输入电压与负载电压之比小，系统干扰大。对于前者，注意不要将负载电压设置得太高。虽然负载电压高，但效率会更高。对于后者，我们可以尝试以下几个方面：a、将最小电流设置为较小的点；b、清洁布线，尤其是关键路径的感观；C、选择电感的小点或者闭合磁路； D的电感，加RC低通滤波器，这个影响有点不好，C的一致性不好，而且偏差有点大，但是应该够照明用。无论怎么降低频率，都不好，只有不好，所以一定要解决。

       4.电感或变压器的选择

  很多用户回应，同样的驱动电路，A生产的电感没有问题，B生产的电感电流变小了。在这种情况下，看看电感电流波形。有工程师没有注意到这一现象，直接调整感应电阻或工作频率达到所需电流，可能会严重影响LED的使用寿命。因此，在设计之前，合理的计算是必要的。如果理论计算参数与调试参数相差甚远，则需要考虑频率是否降低，变压器是否饱和。变压器饱和时，L会变小，导致传输延迟引起的峰值电流增量急剧增大，进而LED的峰值电流也会增大。在平均电流不变的前提下，我们只能看着光线逐渐变淡。

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