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2023年SiC&GaN行业榜单公布,这些企业获奖

发布时间:2023-12-15作者来源:澳门新葡萄新京威尼斯987浏览:1589

12月14日晚,“2023行家极光奖”颁奖典礼在深圳隆重举行。数百家SiC&GaN企业代表齐聚一堂,共同见证第三代半导体产业的风采。经过数月时间的紧密筹划,专家组委会和众多行业人士投票评选,2023行家极光奖各大榜单正式出炉。本届行家极光奖特别设立了【年度企业】、【年度优秀产品】、【十强榜单】三大奖项,旨在为第三代半导体行业树立标杆,提升企业品牌认知度和影响力,为行业发展注入创新力与推动力。
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以下是2023行家极光奖具体获奖名单:
01
年度企业

// 奖项说明 
该奖项主要授予在碳化硅和氮化领域拥有一定声望,取得重要成绩,技术水平达到行业以至国内外先进水平,在推动行业发展、技术创新和市场推广等方面做出优异成绩或起到引领作用的企业。



第三代半导体年度国际领军企业



获得本年度“第三代半导体年度国际领军企业”奖项的企业是产业的“领航者”。根据《2023年碳化硅产业调研白皮书》这4家企业今年在汽车领域公开签约的订单金额超过了500亿人民币,并且与光储充TOP20企业达成了战略合作。优秀的企业满足需求,卓越的企业引领客户需求。这些企业通过碳化硅技术改变了汽车技术发展方向,让碳化硅技术遍布光储充等广泛场景,提升了下游客户的市场竞争力,也加速推动了碳化硅行业的普及化和繁荣之路。
获得该奖项的企业有:英飞凌、意法半导体、罗姆、安森美。
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第三代半导体年度中国领军企业




获得本年度“第三代半导体年度中国领军企业”奖项的企业,从技术研发、生产制造和市场开拓等方面都表现出领先的意识和行动力,是中国企业在第三代半导体这条赛道上实现"追赶、并跑、领跑”的典范,他们夜以继日磨听着自己的"剑与盾”,实现了氮化核和碳化砖核心技术的国产化,率先抠响了国产芯片“上车”的突破性一枪,坚定了国产芯片进军高端市场的信心,他们的努力也在推动了国内产业进入发展快车道。
获得奖项的企业有:三安半导体、英诺赛科、国基南方、芯联集成。
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第三代半导体年度新锐企业



获得本年度“第三代半导体年度新锐企业”奖项,主要表彰本年度第三代半导体供应链中发展潜力显现,也为第三代半导体发展注入新动力的企业,是今年名副其实的年度新锐企业代表。这4家企业有着深厚的技术积累与沉淀,在碳化硅领域奋相争先,其技术创新、产品开发产能建设等方面获得市场的高度认可,作为行业“新秀”,他们已跑出加速度,正在向行业[敏感词]梯队目标迈进。
获得奖项的企业有:芯动半导体、中科汉韵、集芯先进、天成半导体
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第三代半导体年度设备/材料企业



“第三代半导体年度设备企业”是我国SiC&GaN生产制造环节的关键玩家,为半导体基础产品提供专业可靠的精密设备和解决方案。通过长年累月的技术积累和应用检验,这批企业成为“硬核”的代名词,成为我国半导体设计、制造、封装测试环节强有力的保障,同时在产业源头上实现自有技术供给,为半导体企业孵化、培育和发展提供良好环境。
“第三代半导体年度材料企业”处于我国半导体行业的起点,致力于为芯片生产制造厂商提供优质的原材料及其高端制品。我国芯片行业要加快自研自产的进程,离不开原材料企业的全力支持,守住原材料自供率底线和质量,才能不断追赶行业前沿和领先突破。
获得奖项的企业有:北方华创、爱发科、中国电科48所、华卓精科、纳设智能、中电科风华、特思迪、先创、京航特碳、诚联恺达、联合精密、弘信新材。
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02
十强榜单

// 奖项说明 
该奖项主要表彰本年度碳化硅/氮化家供应链中快速崛起的优秀企业,他们实现了国产第三代半导体材料、器件、模块和装备等环节技术的突围,并且在全球化道路上迈出坚实的步伐,提升中国第三代半导体的全球影响力。
获得本年度[十强榜单]奖项的企业在品牌影响力、市场占有率、创新能力和未来的发展潜力等综合实力较为突出。



中国SiC衬底十强



获得该奖项的企业有天岳先进、天科合达、烁科晶体、同光股份、东尼电子、晶瑞电子、南砂晶圆、科友半导体、合盛硅业、世纪金芯。
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中国第三代半导体外延十强



获得该奖项的企业有:瀚天天成、天域半导体、普兴电子、中电化合物、百识电子、晶湛半导体、希科半导体、中科汇珠、宇腾电子、芯生代
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中国GaN器件十强



获得该奖项的企业有:英诺赛科、能华半导体、安世半导体、镓未来、润新微电子、聚能创芯、京东方华灿光电、致能、氮矽科技、芯微
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中国SiC器件设计十强



获得该奖项的企业有飞锃半体、爱仕特、瀚薪科技、派恩杰安海半导体、芯塔电子、芯干线、清纯半导体、瑞能半导体、森国科。
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中国SiC器件IDM十强



获得该奖项的企业有三安半导体、国基南方、基本半导体、中电科13所、泰科天润瞻芯电子、士兰微、中车时代半导体、长飞先进、方正微。
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中国SiC模块十强




获得该奖项的企业有:比亚迪半导体、芯聚能基本半导体、斯达半导体、利普思半导体、致瞻、南瑞半导体、芯联动力科技、国扬电子、长联半导体。
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03
年度优秀产品奖

// 奖项说明 
该奖项分类[影响力产品榜单]和[优秀产品榜单]主要授予碳化硅和氮化领域中,衬底、外延、器件、模组、设备、材料等环节具备影响力或表现优秀的产品,这些产品在相关领域具备一定知名度,并受到广泛认可,解决了行业中的痛点问题,技术水平达到国内外先进水平
本年度获得该奖项的产品在技术创新、性能提升、成本优化、助力量产、效率提升等方面表现优秀。




年度[敏感词]影响力产品




“年度[敏感词]影响力产品”聚焦SiC&GaN芯片生产制造及实际应用的[敏感词]成果,是众多科研成果的结晶,在提质增效、技术链接、产业振兴等方面具有重要意义,同时也指引出半导体产业的未来发展趋势。
SiC衬底年度[敏感词]影响力产品获奖产品有:
  • 烁科晶体:8英寸导电N型衬底
  • 普兴电子:6英寸车用大电流MOSFET碳化硅外延片
  • 中电化合物:8英寸SiC外延片
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    SiC器件年度[敏感词]影响力产品获奖产品有:

  • 意法半导体:第三代碳化硅系列产品
  • 瞻芯电子:第二代碳化硅(SiC)MOSFET
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    SiC模块年度[敏感词]影响力产品获奖产品有:

  • 英飞凌:62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅模块
  • 芯聚能半导体:第二代车规级碳化硅三相全桥主驱模块
  • 三菱电机:3.3kV集成SBDSiC MOSFET模块(FMF800DC-66BEW
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GaN器件年度[敏感词]影响力产品获奖产品有:
  • 英诺赛科的低压氮化镓芯片 INN80LA01;
  • 罗姆半导体的650V耐压GaN HEMT。
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第三代半导体材料/设备方面,获得该奖项的有:北方华创的高密度等离子体SiC刻蚀机/GDE C200高密度等离子体刻蚀机;大族半导体的SiC晶锭激光切片设备.
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年度优秀产品


“年度优秀产品”聚焦国内SiC&GaN企业的多项研发成果,涉及产业链上下游各个领域,是我国半导体产业的重要基础。此外,它们代表了我国半导体产业的统筹布局和规划发展,是由点到线、由线到面、由面到体的有力见证。
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获得该奖项的产品有(排名不分先后)
  • 崇诚国际氮化镓元件动态参数分析仪
  • 天科合达8英寸导电型碳化硅衬底
  • 三安半导体碳化硅MOSFET
  • 百识电子第三代半导体 12000V碳化硅MOS级外延片
  • 瑞能第二代高功率密度1200V MOSFET产品系列
  • 量芯微高度集成 GaN IC IPM模块
  • 基本半导体新一代高性能、高可靠性的碳化硅MOSFET芯片B2M040120Z
  • 京东方华灿光电1200V氮化镓水平式和垂直式功率器件
  • 纳微半导体GeneSiC3.3kV SiC MOSFETs
  • 北京中电科WG-1261全自动减薄机
  • 三安半导体:碳化硅衬底
  • 联讯仪器:WAT6600并行半导体参数测试系统
  • 才道精密仪器:原子力显微镜
  • 飞锃半导体:车规级碳化硅MOSFET
  • 泰克科技:5系列B MSO混合信号示波器
  • 清纯半导体:SiC MOSFET 1200V/7mR S1M007120H
  • 智程半导体:单片薄片清洗机
  • 蓉矽半导体:NC1M120C40HT
  • 昕感科技:车规级碳化硅MOSFET器件
  • 润新微电子:900V D-mode GaN器件
  • 快克芯装备:微纳金属烧结设备
  • 明锐理想:明锐半导体键合自动光学检查机-SW5000
  • 国顺硅源:高纯甲基三氯硅烷(MTS)
  • 致能科技:ZN120C1R070W
  • 优晶科技:电阻法大尺寸碳化硅长晶设备
  • QORVO:750V 第四代SiC FET
  • 安世半导体 :SiC Schottky Diode (650 V, 10 A); PSC1065K
  • 国星光电:内绝缘分立器件技术方案及其产品
  • 凌云光:第三代半导体化合物外延量测机台
  • 安海半导体:ADQ120N016 和 AI3F02R12HPD
此,2023行家极光奖已经告一段落,但第三代半导体产业的故事仍在不断续写,让我们明年再会,共谱新章。

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