IGBT单管与 IGBT模块的区别   IGBT模块可以看作是IGBT单管的功能改进和升级。它们的应用领域基本相同。但是，由于集成了各种驱动和保护电路，IGBT模块的安装极大地方便了用户。随着新包装技术的采用，IGBT的性能也得到了很大的提升，拓展了IGBT的应用领域。   IGBT电源模块由IC、各种驱动保护电路、高性能IGBT芯片和新型封装技术驱动，从复合电源模块PIM发展到智能电源模块IPM、电力电子积木PEBB、电源模块IPEM。PIM正向高压大电流方向发展，产品等级为1200—18

可控硅的基本工作原理及其在调光器中的应用   可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两个晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流，而且是无触点开关的快速接通或切断，实现将直流电变成交流电的逆变，把一个频率的交流电变成另一个频率的交流电等等。 ……

为什么SiC器件不能取代 IGBT？   碳化硅(SiC)器件的生产工艺和技术日趋成熟，目前市场推广的最大障碍是成本。包括研发和生产成本，以及应用中碳化硅器件替代 IGBT后，整个电路中驱动电容电阻的成本。除非厂家推，而且真的可以降低成本，提高性能。毕竟，采用新事物会花费很多。由于制造成本和产品良率的影响，目前阻碍S……

常用的 IGBT缓冲电路有哪些？   由于电力电子器件具有on、on、关断和off四种工作状态，因此off和on状态分别承受高电压和大电流，而在on和关断，过程中，开关器件可能同时承受过压和过流、过大的di/dt、du/dt和过大的瞬时功率。因此，为了防止器件由于高电压和高电流而损坏，在电路中增加了缓冲电路。关断缓冲……

如何用万用表检测 可控硅    可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都有三个电极。单向可控硅整流器具有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。双向可控硅相当于两个单可控硅反向并联。即一个单向硅阳极与另一个阴极并排连接，其引出端称为T2极，一个单向硅阴极与另一个阳极连接，其引出端称为T2极，其余为控制电极(G)。 ……

半导体 三极管参数符号及其意义   如果共发射极电流放大系数β=IC/IB =100，集电极电流IC=β*IB=10mA。集电极负载电阻为500Ω时，电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的电压降VCE=5V。如果在基极偏置电路中叠加一个交流小电流ib，集电极电路中就会出现相应的的交变电流……

模块选型注意事项-导通角要求   模块在较小导通角时(即模块高输入电压、低输出电压)输出较大电流，这样会使模块严重发热甚至烧毁。这是因为在非正弦波状态下用普通仪表测出的电流值，不是有效值，所以，尽管仪表显示的电流值并未超过模块的标称值，但有效值会超过模块标称值的几倍。因此，要求模块应在较大导通角下(100度以上)工作……

可控硅击穿的三个主要原因   1.过压击穿：   过压击穿是 可控硅击穿的主要原因之一。可控硅几乎没有时间承受过电压，即使在几毫秒内，过电压也会被击穿。因此，在实际应用电路中，可控硅两端必须连接RC 收回路，以避免各种不规则干扰脉冲引起的瞬时过电压。如果晶闸管经常发生故障，请检查收回路的部件是否烧坏或失效。 ……

模块保护-过热保护   散热状况是影响模块能否安全工作的重要因素。良好的散热条件不仅可以保证模块的可靠运行，防止模块过热烧毁，还可以提高模块的电流输出能力。   使用中，当散热条件不满足规定要求时，如房间温超为40 ℃，强制风冷出口风速小于6m/s等。应立即降低模块的额定电流，否则会因芯片结温超的允许值过……

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模块保护-过压保护   晶闸管的过电压能力极差。当元件的反向电压超过其反向击穿电压时，即使时间很短，元件也会被反向击穿损坏。如果直流电压超过晶闸管的正向导通电压，会导致晶闸管硬导通，不仅会使电路工作异常，而且在几次硬导通后还会降低元件的正向导通电压，甚至失去正向阻断能力而损坏。因此，必须采取过电压保护措施来抑制晶闸管……

恒流恒压使用晶闸管控制模块的技术解决方案   (1)关于模块首次使用的常见问题   在使用该模块之前，可以进行简单的功能测试，可以测试恒流功能或恒压功能，但选择恒压功能测试更方便。以下是关于首次使用的常见问题，可能对你有启发。   调节给定信号时模块无电流或电压输出，但给定信号和施加的12V电源正常。 ……