6月16日上午，中国科学院院士郝跃莅临广州第三代半导体创新中心（以下简称“创新中心”）视察指导平台建设工作。

郝跃院士首先来到创新中心洁净厂房，对中试线、研发实验室、封装和测试车间规划建设布局进行了视察，查看了厂务设备布局图，对电力系统、空调排风系统、纯废水以及冰水系统建设情况进行了详细了解，对特气管道化学品规范标识、连廊通道密封等细节工作进行了相应指导，要求下一步要加快设备有序进厂安装调试工作。

随后，郝跃院士与创新中心全体教职工进行座谈交流。座谈会上，听取了创新中心执行主任刘志宏关于平台建设进度汇报后，郝跃院士就创新中心建设取得的阶段性成绩给予了肯定。他指出，第三代半导体发展正迎来政策的窗口期，未来几年将是第三代半导体技术和产业飞速发展的重要时期，我们应积极抓住发展机遇，用好外部资源，加强内生动力，努力把政策红利转化为发展推力，加快发展步伐，尽快产出成效。同时，他还针对平台建设工作给予了建设性指导意见：

一、做到技术开发与平台建设协同推进。技术开发方面，要在细分领域突出特色和优势，做到“人有我优，人无我有”，努力做出新的研发成就，不断实现新的突破；平台建设方面，要锁定产业化发展方向，立足广东，加快建成产线，形成稳定的产品开发，服务地方社会和经济发展；

二、明确技术开发产品种类和路线。进一步明确研发方向，形成清晰可行的实施方案，系统性考虑产线运行后如何在科研方向和产品上实现差异化；

三、建立规范化生产管理体系。要做到一流的平台匹配一流的管理，尽快建立产线标准化生产流程，形成可追溯的质量管理体系，严格按照ISO9001标准进行品质管理，确保产品成品率和质量。

他勉励创新中心全体人员牢牢把握发展机遇，积极抢占科技创新制高点，吹响决战冲锋号，铆足干劲再出发，为全力确保实现年底通线目标继续努力。

座谈之后，郝跃院士认真听取了创新中心部分教师结合自身科研方向提出的推进产业化的思路，并针对性给出了指导意见，希望他们树立全局意识和战略思维，立足国家战略需求和地方产业急需开展科研和技术成果转化，青年教师们受益匪浅。

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