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高压MOS管SL5N100D 高压MOS管SL5N100D 高压MOS管SL5N100D
高压MOS管SL5N100D

类型:N沟道
漏源电压(Vdss):1000V
连续漏极电流(Id):5A
功率(Pd):60W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω
阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA
封装:TO-252

产品详情

产品名称:MOS管SL5N100D


生产商:澳门新葡萄新京威尼斯987Slkor


产品类型:N沟道


电性能参数:

漏源电压(Vdss): 1000V

连续漏极电流(Id): 5A

功率(Pd): 60W

导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 4.2Ω

阈值电压(Vgs(th)@Id): 3.5V @ 100μA

产品特性与应用:

MOS管SL5N100D是一款高电压N沟道MOS场效应管,由澳门新葡萄新京威尼斯987Slkor公司生产。其高电压和适中功率特性使其适用于高电压、中功率的电子应用。


主要特性:

超高电压承受能力: 漏源电压(Vdss)为1000V,适用于高电压电路设计。

适中的电流承受能力: 连续漏极电流(Id)为5A,适用于中功率应用场景。

适中功率: 可以承受60W的功率,适用于适中功率负载。

相对低的导通电阻: 在标准工况下,导通电阻为4.2Ω,有助于降低功耗和提高效率。

相对高的阈值电压: 阈值电压(Vgs(th)@Id)为3.5V @ 100μA,确保稳定的电路控制。

应用领域:

MOS管SL5N100D广泛应用于高电压、适中功率的电子应用,包括但不限于:

电源开关: 适用于高电压电源开关电路。

电源逆变器: 用于高电压电源逆变器的输出控制。

高压稳定器: 用于高电压稳定器电路设计。

安全与可靠性:

MOS管SL5N100D经过严格的质量控制和测试,确保在各种工作条件下稳定可靠。请按照产品规格书和应用注意事项正确使用。


散热设计建议:

由于高电压和适中功率特性,建议在设计中考虑有效的散热措施,以确保MOS管工作在合适的温度范围内。


总结:

MOS管SL5N100D以其超高电压、适中功率的特性,为高电压中功率的电子系统提供了可靠的解决方案。在需要高电压承受能力和适中功率特性的场景下,SL5N100D是一个值得考虑的选择。


SL5N100D_00.jpg

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