产品名称：高压MOS管SL4N65F

产品概述：

高压MOS管SL4N65F是一款N沟道MOS场效应管，具有650V漏源电压和4A连续漏极电流，适用于高电压、大电流场合。采用TO-220F封装，便于安装和散热。

性能参数：

- [敏感词]漏极-源极电压：650V

- [敏感词]漏极电流：4A

- [敏感词]导通电阻：2.6Ω@10V,2A

- 阈值电压：4.5V@250A

- 输入电容：850pF@25V

- 反向传输电容：1.2nF@25V

- 栅极电荷：11nC@10V

- 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃@(Tj)

应用领域：

高压MOS管SL4N65F广泛应用于需要承受高电压、大电流的场合，如电源、照明、电动工具等领域。

安装说明：

1. 请在无静电保护措施的情况下操作。

2. 安装前请清洁散热器和芯片表面，确保无尘、无油。

3. 芯片正面朝向散热片，用合适的螺丝固定。

4. 注意安装时不要损坏芯片，防止静电干扰。

注意事项：

1. 请勿将该器件用于超出规定条件的环境和用途。

2. 使用时请按照使用说明书正确操作，以免对器件造成损坏。

3. 禁止对器件进行改装和拆卸。

4. 当存储器件时，请避免超出规定的环境温度和湿度范围。