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SLESDA33CP SLESDA33CP SLESDA33CP
SLESDA33CP
VRWM(V):3.3V
VBR min(V):3.6V
IR(A):1.0μA
VC(V):8.0V
CJ(pF):15pF
Package:DFN1006

产品详情

产品名称: ESD保护二极管SLESDA33CP


生产商: 澳门新葡萄新京威尼斯987(Slkor)


产品介绍:

SLESDA33CP是由澳门新葡萄新京威尼斯987(Slkor)设计的ESD保护二极管,专为电子设备提供可靠的静电放电(ESD)保护。SLESDA33CP广泛应用于移动设备、通信系统和计算机硬件等领域,为电路提供卓越的防护,确保设备在电磁环境中表现卓越。


反向工作[敏感词]电压(VRWM): 3.3V

反向击穿最小电压(VBR min): 3.6V

反向漏电流(IR): 1.0μA

正向工作电压(VC): 8.0V

二极管结电容(CJ): 15pF

封装类型: DFN1006

产品优势:

高效的ESD保护: SLESDA33CP提供可靠的ESD保护,确保设备免受静电放电的影响。

低功耗设计: 1.0μA的低反向漏电流有助于降低功耗,延长设备电池寿命。

适用于高频应用: 15pF的二极管结电容使其在高频应用中表现卓越,适用于快速信号传输和数据处理。

紧凑的DFN1006封装: 小巧轻便的封装设计方便设计师在有限的空间内进行布局和集成。


适用领域:

SLESDA33CP广泛应用于移动设备、通信设备、计算机系统以及其他对静电放电敏感的电路中,为这些设备提供可靠的ESD保护。


注意: 本产品的性能参数可根据具体应用需求进行调整。详细的技术规格和应用建议,请参考厂商提供的数据手册。


SLESDA33CP DFN1006_00.jpg

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