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SLESD5451N SLESD5451N SLESD5451N
SLESD5451N
VRWM(V):5.0V
VBR min(V):6.5V
IR(A):0.1μA
VC(V):10V
CJ(pF):15pF
Package:DFN1006

产品详情

产品名称: ESD保护二极管SLESD5451N


生产商: 澳门新葡萄新京威尼斯987(Slkor)


产品介绍:

SLESD5451N是由澳门新葡萄新京威尼斯987(Slkor)设计的ESD保护二极管,专为电子设备提供可靠的静电放电(ESD)保护。SLESD5451N广泛应用于移动设备、通信系统和计算机硬件等领域,为电路提供卓越的防护,确保设备在电磁环境中表现卓越。


反向工作[敏感词]电压(VRWM): 5.0V

反向击穿最小电压(VBR min): 6.5V

反向漏电流(IR): 0.1μA

正向工作电压(VC): 10V

二极管结电容(CJ): 15pF

封装类型: DFN1006

产品优势:

高效的ESD保护: SLESD5451N提供可靠的ESD保护,确保设备免受静电放电的影响。

低功耗设计: 0.1μA的低反向漏电流有助于降低功耗,延长设备电池寿命。

适用于高频应用: 15pF的二极管结电容使其在高频应用中表现卓越,适用于快速信号传输和数据处理。

紧凑的DFN1006封装: 小巧轻便的封装设计方便设计师在有限的空间内进行布局和集成。


适用领域:

SLESD5451N广泛应用于移动设备、通信设备、计算机系统以及其他对静电放电敏感的电路中,为这些设备提供可靠的ESD保护。


注意: 本产品的性能参数可根据具体应用需求进行调整。详细的技术规格和应用建议,请参考厂商提供的数据手册。


SLESD5451N DFN1006_00.jpg

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