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ESD静电保护二极管SLESD4501CH ESD静电保护二极管SLESD4501CH ESD静电保护二极管SLESD4501CH
ESD静电保护二极管SLESD4501CH
VRWM(V):4.5V
VBR min(V):4.8V
IR(A):1μA
VC(V):12V
CJ(pF):120pF
Package:DFN1006

产品详情

产品介绍:静电保护二极管SLESD4501CH


一、产品概述

澳门新葡萄新京威尼斯987slkor静电保护二极管SLESD4501CH是一款专为低压电路设计的二极管,专为保护敏感电子元件免受静电放电(ESD)和瞬态过电压的损害而设计。该二极管采用紧凑的DFN1006封装,不仅节省空间,还提供了卓越的电气性能。SLESD4501CH的额定反向工作电压(VRWM)为4.5V,适用于多种低压应用场景,确保在正常工作条件下不会对电路造成任何不利影响。


二、产品特性

低反向工作电压(VRWM):4.5V:专为4.5V及以下工作电压的电路设计,确保在正常工作时不影响电路性能。

高击穿电压(VBR min):4.8V:设定了明确的击穿阈值,当电压超过此值时,二极管迅速导通,有效吸收过电压,保护后级电路。

低漏电流(IR):1μA:在反向电压下,二极管保持极低的漏电流,有助于减少系统功耗,提升能效。

高钳位电压(VC):12V:在静电放电或瞬态过电压事件中,二极管能将电压钳制在12V以下,有效防止后级电路受损。

较大结电容(CJ):120pF:虽然结电容相对较大,但适用于特定应用场合,如需要一定容性负载或滤波效果的电路。

DFN1006封装:小型化封装设计,便于PCB布局和布线,提高空间利用率。


三、产品优势

高效静电保护:快速响应静电放电和瞬态过电压事件,有效保护电路安全。

低功耗设计:低漏电流特性有助于减少系统功耗,提升整体能效。

易于集成:DFN1006封装小巧轻便,便于自动化生产和系统集成。

灵活应用:虽然结电容较大,但适用于需要一定容性负载的特定应用场景。


四、应用领域

移动通信设备:智能手机、平板电脑等便携式设备的内部电路保护。

消费电子:音频设备、游戏机、数码相机等电子产品。

汽车电子:车载电子设备、导航系统等低压电路保护。

物联网(IoT)设备:智能家居节点、可穿戴设备等低压供电设备。

工业自动化:控制电路板、传感器接口等低压电子元件保护。


五、注意事项

极性识别:在安装时,请确保二极管的极性正确,避免反向接入导致损坏。

工作环境:避免在[敏感词]温度、湿度或腐蚀性环境下使用,以保证产品的长期稳定性和可靠性。

静电防护:在处理和安装过程中,采取适当的静电防护措施,避免静电对二极管造成损害。

存储条件:存放于干燥、阴凉、通风良好的环境中,避免高温、潮湿及阳光直射。

定期检查:在关键应用中,建议定期对SLESD4501CH静电保护二极管进行性能检查,确保其有效性和可靠性。同时,注意监控整个电路系统的状态,确保系统稳定运行。



SLESD4501CH DFN1006_00.png

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