这里展示的电路图是SiC MOSFET桥式结构的同步式升压电路，在LS开关导通时的示例。电路图中包括SiC MOSFET的寄生电容、电感、电阻，以及HS和LS SiC MOSFET的VDS和ID变化所产生的各处栅极电流（绿色线）。

ID变化带来的电压变化

ID的变化将会产生如下所示的电压公式（1）：

这是因为存在于SiC MOSFET源极的寄生电感中流过ID而产生的电压，由电路图中的(I)引起。这个电压会使电流(I)流过。

VDS变化带来的电流变化

以HS为例，当SiC MOSFET关断、VDS变化时，Gate-Drain寄生电容CGD中会产生电流ICGD。如电路图所示，这个电流分为Gate-Source寄生电容CGS侧流过的电流ICGD1：(II)-1和栅极电路侧流过的电流ICGD2：(II)-2。当VDS开始变化时，栅极电路侧的阻抗较大，因此大部分ICGD都在CGS侧，此时的ICGD1如公式（2）所示。

从公式中可以看出，当CGD较大时或CGD/CGS的比值变小时，ICGD1会增加。

dVDS/dt和dID/dt既可以为正也可以为负，因此它们产生的电流和电压在导通（Turn-on）和关断（Turn-off）时的极性是不同的。