slkor澳门新葡萄新京威尼斯987S8050W是一款NPN型晶体管，适用于低功率应用和信号放大电路。该晶体管具有稳定的性能和可靠性，适合各种消费类电子产品和通信设备的设计与应用。

主要特性：

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：25V，具有正向击穿保护功能。

集电极电流(Ic)：0.5mA，适用于低功率应用。

功率(Pd)：0.3W，能够耗散适度的功率。

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：0.6V@500mA,50mA，具有低饱和压降。

直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120 @ 50mA, 1V，具有合适的电流放大倍数。

特征频率(fT)：150MHz，适用于高频电路设计。

工作温度：[敏感词]可达+150℃(Tj)，适应高温环境。

应用领域：

低功率电子设备和电路

信号放大器和控制电路

模拟电路和开关电路

传感器和测量设备

产品优势：

正向击穿电压保护功能，提高稳定性和可靠性。

适用于低功率应用，如传感器和探测器。

低饱和压降，有利于实现高效能耗电路设计。

合适的直流电流增益，适用于信号放大和控制。

特征频率高，适用于高频电路设计。

宽广的工作温度范围，适应不同环境需求。

注意事项：

在使用S8050W时，请注意正确极性连接，确保电路正常工作。

注意控制集电极电流和基极电流，以确保在安全工作范围内。

在设计电路时，考虑散热和功率耗散，以确保晶体管正常工作。

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