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三极管BFU580Q 三极管BFU580Q 三极管BFU580Q
三极管BFU580Q

晶体管类型:NPN

集射极击穿电压(Vceo): 12V

集电极电流(Ic): 100mA

功率(PD): 1000mW

集电极截止电流(Icbo): 0.05μA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -

直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@30mA, 8V

特征频率(fT): 10GHz

工作温度:-40℃~150℃@(Tj)
Package:SOT-89


产品详情

产品概述:

NPN微波低噪声晶体管BFU580Q是一种常用的高频放大器和信号处理器件。它在微波频段(通常在几百MHz至几十GHz之间)表现出优异的性能,主要用于无线通信、雷达系统、卫星通信、射频识别(RFID)、广播、医疗设备等领域。


主要特性:

晶体管类型:NPN

集射极击穿电压(Vceo): 12V

集电极电流(Ic): 100mA

功率(PD): 1000mW

集电极截止电流(Icbo): 0.05μA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -

直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@30mA, 8V

特征频率(fT): 10GHz

工作温度:-40℃~150℃@(Tj)
Package:SOT-89


应用领域:

主要应用于超高频微波、高频宽带低噪声放大器中,如CATV视频放大器、无线收发模块、各类远距离遥控器、安防报警器、模拟数字无绳电话等产品中,适合中功率高频信号放大。


产品优势:

本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性。

注意事项:

在处理和安装NPN微波低噪声晶体管时,务必采取防静电措施,避免静电对晶体管产生损害。

针对高频应用,需要注意防止晶体管出现意外振荡的情况,采取适当的滤波和稳定措施。

避免将NPN微波低噪声晶体管暴露在超过其额定参数的过载情况下,以防止损坏晶体管。



关于澳门新葡萄新京威尼斯987 Slkor

澳门新葡萄新京威尼斯987 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商,拥有先进的技术和严格的质量控制体系,为客户的设计提供[敏感词]的解决方案和支持。


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