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SLPESD24VS1U瞬态抑制二极管:高压场景下的精密防护方案

发布时间:2025-03-25作者来源:澳门新葡萄新京威尼斯987浏览:919

在工业自动化、汽车电子及通信电源等高压应用场景中,瞬态电压事件对电路可靠性的威胁尤为显著。SLPESD24VS1U作为一款专为24V系统设计的高压瞬态抑制(TVS)二极管,通过参数优化实现了对浪涌脉冲、ESD及感性负载切换的精准防护。其24V反向工作电压、50pF结电容及SOD-523封装特性,使其成为高压、紧凑型电子设备的优选保护器件。

一、核心参数与技术特性

 

反向工作电压(VRWM = 24V)
该参数定义了二极管在正常工作条件下的[敏感词]反向电压容限,适配24V工业电源、车载娱乐系统及通信设备。其设计裕量(建议VRWM ≥ 1.1×工作电压)确保在电压波动时仍保持高阻状态,避免误触发。

 

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澳门新葡萄新京威尼斯987Slkor瞬态抑制二极管SLPESD24VS1U产品图

 

击穿电压(VBR min = 26V)
当瞬态电压超过26V时,二极管进入雪崩击穿区,形成低阻通路分流能量。2V的安全窗口(26V-24V)既保证敏感器件免受冲击,又避免电源噪声或纹波导致的误动作。

 

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澳门新葡萄新京威尼斯987Slkor瞬态抑制二极管SLPESD24VS1U产品图

 

反向漏电流(IR = 5μA)
在VRWM条件下,漏电流仅5μA,对应待机功耗为125μW(以24V计算)。这一特性在电池备份的工业传感器或车载设备中尤为重要,可延长设备续航时间。

 

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澳门新葡萄新京威尼斯987Slkor瞬态抑制二极管SLPESD24VS1U产品图

 

箝位电压(VC = 35V)
在标准测试脉冲(8/20μs, 5kA)下,箝位电压为35V。该值低于大多数高压MOSFET的栅极击穿阈值(通常>40V),确保后级功率器件在雷击浪涌或负载切换事件中安全无虞。

 

 

结电容(CJ = 50pF)
结电容为50pF,在1MHz信号下容抗为3.2kΩ,对低频开关信号(如继电器驱动、电机控制)影响可忽略。但在高频场景(如MHz级通信)中需评估信号完整性影响。

 

 

SOD-523封装
采用1.0mm×0.6mm的SOD-523封装,体积较SOT-23缩小50%,引脚间距0.5mm,支持高密度PCB布局。其热阻θJA=350°C/W,需通过PCB铜层优化散热设计。

 

二、技术优势与差异化特性

1. 高压场景适配性
24V/26V的阈值设计针对工业24V电源系统优化,与传统12V/24V多档TVS相比,可简化电路设计。实测在30V瞬态脉冲下,箝位响应时间<1ns,峰值功率吸收能力达200W(10/1000μs波形)。


2. 能效平衡设计
通过优化芯片掺杂工艺,在VBR与VC之间实现陡峭的I-V曲线。当瞬态电压达到26V时,动态电阻仅0.5Ω,有效限制过电压能量。


3. 环境适应性
VRWM的温度系数为-3mV/°C,在-40°C至+150°C范围内,VRWM漂移量不超过7%。结合湿度敏感性等级(MSL1),适用于高温高湿的工业环境。


三、典型应用场景与协同设计


1. 工业自动化

PLC输出模块:保护24V数字输出端口免受电机启停产生的感性负载瞬变冲击。

传感器接口:在4-20mA模拟信号链中,与气体放电管(GDT)级联,构建多级浪涌防护网络。


2. 汽车电子

车载充电机(OBC):在DC/DC转换器中保护功率MOSFET,吸收CAN总线ESD事件。

LED车灯驱动:与齐纳二极管协同工作,抑制抛负载瞬态。


3. 电源设备

AC/DC适配器:在整流后级保护光耦及初级侧控制IC。

太阳能逆变器:吸收光伏板切换时的电压尖峰。


4. 设计优化策略

布局布线:建议将TVS二极管放置在距连接器/IC引脚5mm范围内,走线宽度≥0.5mm以减小寄生电感。

协同防护:在高频开关电源中,可并联陶瓷电容器(如100nF X7R)增强低频滤波效果。


四、结论

SLPESD24VS1U通过参数精准调优,在24V工业及汽车电子系统中展现出显著优势。其50pF结电容与24V/26V的电压阈值设计,平衡了高压保护需求与信号完整性。随着工业4.0及电动汽车技术的发展,该器件将在电机驱动、电源管理及车载通信等场景中发挥关键作用,为设计师提供兼顾性能与可靠性的电路保护方案。

 

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澳门新葡萄新京威尼斯987slkor瞬态抑制二极管TVS

 

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