土豪登场-IGBT5

“土豪金” 芯片

特征：

沟槽栅+场截止+表面覆盖铜

IGBT5是所有IGBT系列里最土豪的产品，别的芯片表面金属化都用的铝，而IGBT使用厚铜代替了铝，铜的通流能力及热容都远远优于铝，因此IGBT5允许更高的工作结温及输出电流。同时芯片结构经过优化，芯片厚度进一步减小。

技能：

175℃工作结温，1.5V饱和电压，

输出电流能力提升30%

因为IGBT5表面覆铜，并且在模块封装中采用了先进的.XT封装工艺，因此工作结温可以达到175℃。芯片厚度相对于IGBT4进一步减薄，使得饱和压降更低，输出电流能力提升30%。

名号：

E5，P5

目前IGBT5的芯片只封装在PrimePACK™里，电压也只有1200V，1700V，代表产品FF1200R12IE5，FF1800R12IP5。

真假李逵-TRENCHSTOP™5

在单管界，有一类产品叫TRENCHSTOP™5。经常听到有人问H5、F5、S5、L5是不是IGBT5？严格意义来讲并不是，虽然名字里都带5，但是H5、F5、S5这些单管的5系列，属于另外一个家族叫TRENCHSTOP™5。这个家族没有“黄金甲”加持，基因也和IGBT5不一样。

特征：

精细化沟槽栅+场截止

虽然都叫沟槽栅，但TRENCHSTOP™5长得还是和前辈们大相径庭。它的沟道更密，电流密度更高。在达到[敏感词]操作性能同时，并不具备短路能力。

技能：

175℃[敏感词]工作结温，高开关频率，

无短路能力

性能和短路，永远是一对矛盾体。为了追求卓越的性能，TRENCHSTOP™5牺牲掉了短路时间。TRENCHSTOP™5可以根据应用目的不同，取得极低的导通损耗，或者极高的开关频率，开关频率[敏感词]可达70~100kHz，而导通压降[敏感词]可低至1.05V。

名号：

H5，F5，S5，L5

TRENCHSTOP™5目前只有650V的器件，并且都是分立器件。这一系列产品针对不同的应用进行了通态损耗和开关损耗的优化。其中H5/F5适合高频应用，L5导通损耗[敏感词]。TRENCHSTOP™5各个产品在折衷曲线上的位置如下图所示。

后起之秀-IGBT6

6掌门虽然和4掌门之间隔了个5，但6其实是4的优化版本，依然是沟槽栅+场截止。IGBT6目前只在单管中有应用。

特征：

沟槽栅+场截止

器件结构和IGBT4类似，但是优化了背面P+注入，从而得到了新的折衷曲线。

技能：

175℃[敏感词]工作结温，Rg可控，3us短路

IGBT6目前发布的有2个系列的产品，S6导通损耗低，Vce(sat) 1.85V; H6开关损耗低，相比于H3，开关损耗降低15%。

名号：

S6, H6

IGBT6只有单管封装的产品，例如：IKW15N12BH6，IKW40N120CS6，封装有TO-247 3pin，TO-247 plus 3pin，TO-247 plus 4pin。

万众瞩目-IGBT7

IGBT经数代，厚积薄发，2018年终于迎来了万众瞩目的IGBT7。

特征：

微沟槽栅+场截止

虽然都是沟槽栅，但多了一个微字，整个结构就大不一样了。IGBT7沟道密度更高，元胞间距也经过精心设计，并且优化了寄生电容参数，从而实现5kv/us下的[敏感词]开关性能。

更多IGBT7信息，请参考：1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳，助力提升变频器系统性能。

技能：

175℃过载结温，dv/dt可控

IGBT7 Vce(sat)相比IGBT4降低20%，可实现[敏感词]175℃的暂态工作结温。

名号：

T7，E7

代表产品有：FP25R12W1T7。T7专为电机驱动器优化，可以实现5kv/us下[敏感词]性能。E7应用更广泛，电动商用车主驱，光伏逆变器等。

一张表看懂

IGBT的前世今生

”

有道是，

江山代有才人出，各领风骚没两年。

7已经羽翼渐丰，独挡一面，

8还会远吗？

让我们拭目以待吧！

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