一个碳化硅芯片业余爱好者的学习笔记。文献整理，业界新闻，偶有所得，天马行空。本公众号属于个人学习笔记，仅为个人业余兴趣爱好，不涉及任何商业目的。文中如果有引用不规范的地方敬请见谅。有人的爱好是养花养草唱歌钓鱼，也有人喜欢写Twiter博客抖音，我最近几年，喜欢周末偶尔读点书刷刷paper，看看前沿方向材料和器件技术发展。
题记：做点有趣的事，做个有趣的灵魂。
瞎聊了几句罗姆双沟槽IP的诉讼案花边新闻��，发现感兴趣的朋友还真不少。很多交流和问题没法一一回复了。那就继续瞎聊聊
关于这几个沟槽结构专利，其实也没啥好多聊的，大家都知道，没办法，这就是起的早的��有虫吃，和早些年抢占域名注册类似，
咱们都来晚了几年…
这几个沟槽结构，都是基础结构。有时候看起来有种特别的美，仔细一看，特别对称。
想象一下把这些结构做个排列组合，在三维立体空间重新组合下…是不是很有趣！
这就是为啥总说那三个结构，“英飞凌半包，罗姆双沟槽，住友接地双掩埋” 是基础结构。
很有趣吧！…
可惜的是，按国际专利法，排列组合不管用啊！
否则Rohm可以轻松在双沟槽旁边集成个
肖特基二极管进去，是不是就不用这么辛苦打官司了！
这个官司打起来，看起来是没个完了。这也从侧面充分证明了，真正有用的碳化硅沟槽结构专利IP是多么稀有！
特别是，现在搞碳化硅器件的越来越多，很多原来做硅
IGBT和CoolMOS的，转过来做个碳化硅二极管和平面MOSFET，基本是分分钟就出产品。
这种情况下，碳化硅沟槽结构的IP，弥足珍贵！
我曾经一度很想去创业。特别是在肖特基街道办学了几手之后，认为既然自己差不多能一个人从设计版图到工艺集成开发流片全搞完，是不是可以找点钱��试试了！
等一点点看完各个结构的发展历史和专利权人，发现特么SiC的结构发展，和当年硅
IGBT七代结构和工艺的发展，还真有不少类似点！
惊讶的是，居然很多结构和工艺IP的源头，居然在GE那儿！
曾经一度以为平面MOS里没有专利问题，现在却不太确定了。等把GE和日本团体那些专利都一点点读完，不知道是啥时候了！
而且，日本是团体作战，这个对于专利布局来说优势互补。很管用！
例如，我曾经觉得相对于英飞凌半包和Rohm双沟槽，其实在住友的接地双掩埋IP里添点料加点粉，会是个很好的沟槽结构IP的突破口。还有很多东西可以做做。而且将来不会像Infenion半包和双沟槽那么显眼容易被诉讼。
但最近两年，在Rohm打官司的同时，发现日本电装富士罗姆丰田这几家在怒吼式的申请专利，在原来的几种结构上疯狂绣花��，查缺补漏。简直是想要在沟里再修几套高楼的样子。例如接地双掩埋那个结构，足足就搞了十七八种变体和组合…
今年九月份的时候，听说三安也想开始开发碳化硅沟槽MOSFET，苦于沟槽结构专利避不开，最后干脆选择先照着做一个出来再说。于是直接从北京微电子所招了个博士，开始仿照着做个沟槽结构。
不扯远了，刚本来想聊GE的。这才是真正的碳化硅IP大佬。只不过碳化硅器件对于GE来说是个小生意，GE兴趣不大。连暴利的医疗装备GE都懒得搭理了，说不清GE现在究竟啥情况
这两周GE正在闹分家。也许分完了以后，GE POWER能慢慢搞点小生意碳化硅器件也说不定。
毕竟，现在要各付各的晚餐费了。
GE应该对大功率器件还是挺有兴趣的。分家之后，没准需要剥离重新上市。SiC可是个估值利器！看看最近GE POWER热情高涨的跑中国发展宣传就可见一斑。
如果说GE POWER真的开始独立出来，谋求单独上市，那么功率芯片和SiC Power器件应该是个重新出发的好港口。
这个时机对GE POWER来说刚好。
正好碳化硅无比火热，正好各玩家都特别有钱。
也许，GE POWER 就可以像高通那样，开始收割点韭菜，变成个POWER的IP提供商。
对于一个上百年的企业来说，
分家的故事才刚刚开始，以后的精彩纷呈，谁知道呢！
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