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发布时间:2023-03-29作者来源:芯小二的下午茶浏览:2588
今天续上篇,聊聊SiC及SiC在大功率充电桩应用的优势,以及基于SiC的25KW/30KW/50KW的参考设计,国产SiC厂商的情况;小二水平有限,欢迎大家补充;
目录:
什么是SiC
SiC的优势及芯片
25KW/30KW/50KW充电桩模块参考设计
国内SiC功率器件公司
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什么是碳化硅(SiC)
三代半导体,相信你肯定听过,这里的代,是基于使用的半导体材料不同划分,不像2G/3G/4G通信有新一代取代旧一代的情况;
[敏感词]代半导体,以硅(Si),锗(Ge)材料为代表,是目前逻辑器件的基础,这几年的通信领域的硅光芯片,也是基于硅;
第二代半导体,以砷化镓(GaAs),磷化铟(InP)为代表,小二不是很清楚;
第三代半导体,则是以碳化硅(SiC),氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料,在功率芯片上具有独特优势,近年得到广泛的应用;
这里,顺带也解释下,类似Si,SiC的材料,具体是如何形成芯片的;
大家应该经常听到晶圆,也应该听过硅晶圆是拉出来的,包括Si,SiC其实就是组成晶圆的材料;
而晶圆到芯片,就像水泥到房子,是物理和化学反应的生产过程;
以下图MOSFET管子为例
图中[敏感词]部分就是SiC材料,在这个材料上,通过挖坑(掩模,腐蚀),填坑(离子注入等)的方式,在不同的SiC材料上添加不同的离子成分,形成G-D-S不同的极,最后通过封装工艺,形成最后的芯片;
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SiC的优势及芯片
下表是不同半导体材料的特性:可以看到
Energy Gap,禁带宽度反应的是价电子要成为自由电子所需要的能力,SiC是Si的接近3倍,禁带宽度越宽,耐受高温和高压能力越强,反向漏电流越小,抗辐射能力越强;
Breakdown Field,绝缘击穿场强,SiC是Si的10倍,SiC能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现更高耐压;
Thermal Conductivity,导热率,SiC是Si的3倍,热阻更小,热扩散能力更好,可以做到更高功率密度;
Saturation Drif Velocity,饱和漂移速率,值越高,开关速度更快
综上,基于SiC材料的器件,可以实现 "高耐压"、"低导通电阻"、"高频" 三个特性。
目前,基于SiC的功率器件主要两大类:SiC-MOSFET和SiC-SBD
[敏感词]类:SiC-MOSFET
第二类:SiC-SBD
如下是实际使用硅(Si) IGBT及碳化硅(SiC) MOSFET的功耗损失对比
图片来自罗姆官网
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25KW/30KW/50KW充电模块参考设计
如下是Onsemi推出的基于SiC的25KW 充电模块参考设计
Onsemi的设计采用了
- 三相六开关的PFC,开关频率在150kHz
- 双有源全桥DCDC,开关频率在100kHz
控制芯片采用了Zynq-7000 SoC FPGA,前后级各一颗;
SiC模块,驱动,采样及辅助电源芯片如下:
如下是Onsemi微信公众号的全中文版本的设计系列,“基于SiC的25KW快速直流充电桩系统设计”
从应用概述到方案概述,仿真,设计等一条龙;
https://mp.weixin.qq.com/mp/appmsgalbum?action=getalbum&__biz=MzI5MjM3MzU3NA==&scene=1&album_id=2759840207167864833&count=3#wechat_redirect
这是WolfSpeed的三相交错LLC DC-DC变换器,30KW功率,设计采用了1200V C3M SiC MOSFETs (C3M0040120K) and 650V C6D SiC Schottky Diodes (C6D20065D and C6D10065A)
此外:
SiC MOSFET驱动芯片:采用了TI的UCC5350MC
DSP芯片:采用了TI的TMS320F28377DPTPT
开关频率:130kHz-250kHz
设计资料可以从这个链接获取:
CRD30DD12N-K 30kW Discrete Interleaved LLC DC-DC Converter | Wolfspeed
这是Infineon的50KW充电模块拓扑,SiC器件及开关频率信息
PFC采用了三相Boost PFC维也纳架构,DCDC采用了全桥LLC谐振转换器
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国内SiC功率器件厂家介绍
先做个声明,这里介绍的公司,不是对其产品的推荐,而是从网络及平常交流获取的相关信息分享
瞻芯电子,拿到了小鹏汽车的战略融资,自建了符合IATF16949的6寸SiC晶圆厂,目前已经发布的产品有SiC MOSFET,SiC SBD,SiC Module,Gate Driver,Controller;
这家公司在PCIM的文章分享还是令人深刻;
派恩杰半导体,成立于2018年的派恩杰半导体,从成立之初就聚焦于碳化硅MOSFET,紧锣密鼓布局车规级半导体芯片,并已顺利“上车”,产品已应用于汽车OBC等领域,其和X-FAB晶圆代工厂战略合作;
如下是其产品发布轴
数明半导体,成立于2013年,专注于工业、汽车、能源领域的驱动芯片、电源管理及智能光伏芯片、接口与信号链芯片的研发。其研发出国内[敏感词]兼容光耦带DESAT保护功能的IGBT/SiC隔离驱动器;
华润微电子,是华润微电子有限公司是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的高科技企业,曾先后整合华科电子、中国华晶、上华科技、中航微电子等中国半导体企业,经过多年的发展及一系列整合,公司已成为中国本土具有重要影响力的综合性半导体企业,自2004年起多年被工信部评为中国电子信息百强企业。
目前华润微发布了650V/1200V的SiC SBD
湖南三安,是全球第三家具备碳化硅全链整合能力的企业,提供衬底、外延、芯片、封装及模块等[敏感词]工制造服务,具备成熟的大规模制造经验和质量管理能力,实现产能以及质量验证的全链管控能力。目前已实现月产能12,000片,达产后将实现年产能500,000片碳化硅6寸晶圆
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