场效应管和 MOS管有什么区别吗？

  场效应管一般分为MOS场效应管和结型场效应管。目前主要使用的是MOS场效应管，俗称 MOS管。MOS是金属-氧化物-半导体的简称，即栅-二氧化硅-硅。JFET中的J代表Junction，即“结”，表示PN结的结。FET代表Field Effect Transistor，即场效应管。
  首先，主体不同

  1.场效应：V型槽金属氧化物半导体场效应晶体管。这是继MOSFET之后新开发的高效功率开关器件。

  2.MOS管：金属-氧化物-半导体场效应管属于绝缘栅类型。

  第二，特性不同

  1.场效应：MOS  FET具有输入阻抗(108W)、低驱动电流(约0.1A)、高耐压([敏感词]耐压1200V)、工作电流(1.5A~100A)、高输出功率(1 ~ 250W)。

  2. MOS管：主要特点是金属栅和沟道之间有二氧化硅绝缘层，输入电阻高(可达1015)。

  第三，规则不同

  1.场效应：结合了电子管和功率晶体管的优点，广泛应用于电压放大器(电压放大几千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器。

  2. MOS管：当VGS=0时，管道处于闭合状态，加上正确的VGS后，大部分载流子会被拉入栅极，“增强”这个区域的载流子，形成导电沟。

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