扩产、扩产！2家SiC/GaN企业又增新项目

发布时间：2022-03-17作者来源：澳门新葡萄新京威尼斯987浏览：1902

据《无锡日报》报道，10月7日，有19个集成电路重大项目落户无锡，总投资达 303.4亿 元，其中包括 基本半导体 和 晶湛半导体 的2个第三代半导体项目。

基本半导体：

总部项目签约

据介绍，基本半导体签约建设 车规级 第三代半导体研发制造总部项目。
“三代半风向”此前报道提到，该项目正在建设当中，预计2021年底通线，2022年中进入量产。

除了该项目外，基本半导体还有3个产线建设正在开展： ▲南京浦口制造基地已于2020年3月开工建设，预计2021年底通线，主要进行 碳化硅外延片 的工艺研发和制造； ▲北京亦庄共建的 6英寸碳化硅晶圆产线 将于今年第四季度实现量产； ▲深圳坪山第三代半导体产业基地已于2020年底开工建设，预计2023年投产，年产能将达 200万只碳化硅器件 。

晶湛半导体：

氮化镓外延项目落户

同时，晶湛半导体的 氮化镓外延材料 研发和产业化项目也签约落户无锡。具体项目信息尚待公布。除了该项目外，2021年3月，苏州工业园区还公示了“晶湛半导体的新建氮化镓外延片生产扩建项目环评文件”。该项目拟投资 2.5亿 元，建成后年产氮化镓外延片产品 50万片 。

据晶湛官网，2014年底，晶湛率先在全球首次发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品。截至目前，晶湛已完成A+轮融资，用于扩大生产规模，150mm的 GaN-on-Si 外延片的月产能达 1万片 。目前，晶湛已拥有全球超过150家的[敏感词]半导体公司、研究院所客户。而前不久，晶湛半导体还展示了12英寸、1200V的硅基GaN外延片，为采用主流的 12英寸CMOS 生产线制造GaN HEMT晶体管铺平了道路。