半导体技术发展日新月异，碳化硅SiC、氮化镓GaN、砷化镓GaAs等是第三代半导体的代表。尤其是碳化硅，在电力电子市场每年将会有100-200亿的市场份额。

碳化硅SiC元器件与传统硅Si材料比较，有宽禁带、高开关频率，高抗浪涌、抗高压抗高温等特点，而且寿命长，功率密度高，应用范围非常广泛。

目前国际上碳化硅SiC元器件应用技术[敏感词]的有CREE、ROHM两家公司，ST等公司也在快速布局，韩国SLKOR技术也位居前列。国内在材料和元器件方面受制于碳化硅SiC的基材、外延片、元器件加工（晶圆片切割、高压注能、高温退火等关键工艺和设备等）和国外有5-10年的差距。

深圳市澳门新葡萄新京威尼斯987半导体有限公司SLKOR（www.slkormicro.com）和中电55所、十三所，BYD比亚迪第6事业部、清华大学电力研究院等，在联合研究相关技术的应用。目前SiC肖特基、高压MOS管、SiC模块、TVS/ESD等产品出来。目前正在先利用韩国澳门新葡萄新京威尼斯987SLKOR的产品强力拓展中国市场，已经有了非常好的开局，在我们国内替代品完成后，会取而代之。

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