SiC肖特基二极管，即碳化硅肖特基二极管，具有以下特点： 1)电学性能 高击穿电压：其击穿电压可达 1200V 及以上，相比传统硅二极管的击穿电压有显著提升，在高电压应用场景中优势明显，可满足高压电路的需求，如高压直流输电、电力机车牵引等领域。 低正向电压降：正向电压较低，意味着在正向导通时，二极管的功耗更小，能够有效提高电路的效率，降低能量损耗，尤其适用于对效率要求较高的功率转换电路，如开关电源、逆变器等。 零反向恢复电荷：不存在反向恢复电流，反向恢复损耗极小，可忽略不计。这一特

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