第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲做《第三代半导体产业发展战略思考》主题综述报告。

—— 应用需求推动半导体新材料不断发展—— 

报告指出，以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等宽禁带化合物半导体为代表，未来将向更大尺寸、更低成本、更高性能方向发展。与此同时，超宽禁带半导体、低维碳基与二维材料、半导体量子材料等新型半导体材料也在不断发展。

当前正值全球半导体格局重塑的历史关键期，新材料驱动的半导体发展新战略，在补短板的同时要筑长板、建优势。一方面超越摩尔技术以应用推动，面向重大需求实现信息、能源、交通、[敏感词]等领域的自主保障；另一方面，后摩尔技术实现超前布局。

第三代半导体是支撑智能、绿色、可持续发展的重要力量，在实现“双碳”目标，支撑高速列车、新能源汽车、5G基站等升级换代，支撑光电子与微电子深度融合，实现跨界创新等方面发挥着重要作用。

——我国技术实力提升，产业链较为完整——

报告指出，国内已建立从衬底、外延、设计、制造、封测到应用较为完整的 SiC与GaN产业链，并且在不断发展，未来可期。“十四五”期间将重点解决能用、好用及可持续创新能力的问题，提升全产业链整体竞争力，特别是核心材料和关键装备。

据CASA Research统计显示，2022年功率电子器件市场规模超过100亿元；GaN微波射频器件市场规模88.6亿元；新能源汽车（含充电设施）是[敏感词]市场，整体比重达65%；光伏+储能需求持续增长；超宽禁带半导体尚处基础研究阶段，将在更高耐压、更低导通电阻的微波大功率电子器件、日盲探测等深紫外光电器件、高能粒子探测器等领域发挥重要作用。

—— 新形势下的机遇、挑战与思考 ——

中国作为全球[敏感词]市场已启动（新型电力系统、高铁、新能源汽车、 5G/6G通信、半导体照明及超越照明、工业电机及消费电子市场），应用需求驱动技术创新。中国精密加工制造技术和配套能力在迅速进步。但也要清醒认识到，中国发展第三代半导体产业仍面临诸多挑战：缺乏战略研究、长期稳定支持科技力量的科研计划投入及系统性推进实施策略；原始创新能力不足，产业技术积累不够；企业小、散、弱，低水平同质竞争，集中度低，缺乏有效实现产业链协同发展的机制；缺乏企业有效参与、开放的研发中试平台，特别是材料和装备的验证平台；标准、检测认证、质量评价体系相比发展进程落后；缺乏鼓励社会资本参与中早期研发的机制和通道，存在政府、市场双失灵现象。

报告最后从推动示范应用、完善体系生态、加强国际合作三个方面提出了建议：

推动示范应用，突破核心装备，打通产业链条。通过示范应用拉动、面向需求的迭代研发，带动国产材料、芯片、封测、应用等一系列关键环节技术加速成熟，完善检测、标准、系统设计等公共能力建设，提升可靠性、一致性；建立设备示范线，组织设备制造商、用户、工艺、配件、耗材等多方力量协同创新。

建立协同创新的产业体系和生态。推动建设开放、高水平的专业化[敏感词]平台，加强基础材料、装备、核心器件、标准等国家体系化能力建设；推动有竞争力的并购重组，构建基于国家信用的长期资本链以支撑研发链，发挥新型研发机构（平台）、联盟（创新联合体）的作用，承接2030国家重大项目，发起设立结构化、市场化运营的公共资金池（或基金），探索“项目+平台+孵化器+基金+基地”融合发展的科技金融链网的合作新模式。注重知识产权战略，鼓励专利运营。构建有序开放的技术标准与检测认证服务体系，主动参与国际标准制订，提高话语权；培育汇聚各类创新人才队伍的人才体系。

推进新形势下精准深入的国际科技合作。在新的地缘政治环境下，快速建立精准深入的分区域合作体系和策略，注重非政府间合作，探索市场化的渠道和企业间的合作方式。面向“金砖五国”、“一带一路”沿线国家，在标准、国际市场等领域找到突破口；面向欧亚等产业链环节有技术优势的国家，重点加强与具备成熟技术的中小企业和研发团队深度合作。鼓励企业和研究机构在国外建孵化中心和技术创新中心，主动参与国际标准制定等。系统梳理国际人才战略。

以第三代半导体为代表的化合物半导体是全球的机会，面临全球的挑战，需要全球的合作！