肖特基势垒二极管利用金属-半导体(M-S)接触特性制成，由于金属-半导体接触的电流运输主要是依靠多数载流子(电子)，其电子迁移率高，且M-S结可以在亚微米尺度上精确制造加工，使得肖特基势垒二极管能运用到亚毫米波、太赫兹波频段。肖特基势垒二极管基本结构所示。
肖特基势垒二极管截面图
由于N型掺杂相比于P型掺杂有更高的电子迁移率，衬底材料选择“N+型”衬底，随后在衬底表面生长出一层高纯度、高电导率的N型重掺杂缓冲层，用于保证较低的串联电阻及防止衬底杂质进入外延层。外延层生长在缓冲层上表面，其掺杂浓度与厚度是二极管的重要设计参数。外延层上表面与金属阳极接触形成肖特基势垒接触，形成整流结，在衬底下表面与金属阴极接触形成欧姆接触。
肖特基势垒二极管有两种管芯结构：点接触型和面结合型，如下图所示。点接触型管芯用一根金属丝压接在N型半导体外延层表面上形成金半接触。面结合型管芯先要在N型半导体外延层表面上生成二氧化硅保护层，再用光刻的办法腐蚀出一个小孔，暴露出N型半导体外延层表面，淀积一层金属膜（一般采用金属泪或钛，称为势垒金属）形成金半接触，再蒸馏或电镀一层金属（金、银等）构成电极。
两种肖特基势垒二极管结构
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