SL80N03低压MOS管是一款N沟道MOSFET器件，其主要特点如下：

- 漏源电压（Vdss）为30V，支持低压电路应用。

- 连续漏极电流（Id）高达80A，具有较高的承载能力。

- 导通电阻（RDS(on)）低至6.5mΩ（在Vgs为10V、Id为30A时），有助于减少功率损耗和提高效率。

- 阈值电压（Vgs(th)）为2.5V（在Id为250μA时），方便控制开关状态。

- 封装为TO-252，便于安装和散热。

SL80N03低压MOS管适用于大功率直流/交流转换器、电机驱动器、照明系统、电源管理、电池保护等应用场合。其高承载能力、低导通电阻和低阈值电压等特性，可以帮助设计师实现高效、高性能的电路设计。