产品名称：低压MOS管SL6800C

类型：N沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：2A

功率(Pd)：1.1W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V,2A

阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA

封装：SOT-23-6L

产品介绍：

SL6800C是一种低压N沟道MOS管，具有漏源电压为30V和连续漏极电流为2A的特性，可用于各种低电压应用。

该MOS管的封装为SOT-23-6L，具有小巧轻便的特点，方便进行PCB板上的布局和组装。

在10V和2A的条件下，该MOS管的导通电阻（RDS(on)）为90mΩ，具有较低的导通电阻，从而可以减小能耗和热损失。

此外，该MOS管的阈值电压（Vgs(th)）为1.5V@250μA，使得它可以在较低的驱动电压下实现高效的开关控制。

SL6800C还具有1.1W的功率，可在热稳定性方面提供额外的保障。

总之，SL6800C是一种性能卓越的低压N沟道MOS管，适用于多种低电压应用，可提供高效的开关控制和低功耗解决方案。