晶体管类型: NPN

集射极击穿电压(Vceo): 12V

集电极电流(Ic): 100mA

功率(Pd): 150mW

集电极截止电流(Icbo): 1μA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) -

直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 70@7mA,3V

特征频率(fT): 4.5GHz

工作温度: -65℃~+150℃@(Tj)